Ferroelektrische Kondensatormodule, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen

Ferroelektrischer Kondensatormodule, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen. Das Herstellungsverfahren eines ferroelektrischen Kondensators beinhaltet das Ausbilden einer Barriereschicht auf einer Isolationsschicht (18) einer CMOS-Struktur (10). Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden einer oberen Platte (32) und einer untern Platte (28) über der Barriereschicht. Weiterhin beinhaltet das Verfahren das Ausbilden eines ferroelektrischen Materials (30) zwischen der oberen Platte (32) und der unteren Platte (28). Das Verfahren beinhaltet weiterhin die Ummantelung der Barriereschicht, der oberen Platte (32), der unteren Platte (28) und des ferroelektrischen Materials (30) mit einem Ummantelungsmaterial (36). Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden von Kontakten (20) mit der oberen Platte (32) und der unteren Platte (28) durch das Ummantelungsmaterial (36). Wenigstens der Kontakt (20) mit der oberen Platte (32) und ein Kontakt (20) mit einer Diffusion der CMOS-Struktur stehen durch eine gemeinsame Leitung in elektrischer Verbindung. Ferro-electric capacitor modules, methods of manufacture and design structures. The method of manufacturing the ferro-electric capacitor includes forming a barrier layer on an insulator layer of a CMOS structure. The method further includes forming a top plate and a bottom plate over the barrier layer. The method further includes forming a ferro-electric material between the top plate and the bottom plate. The method further includes encapsulating the barrier layer, top plate, bottom plate and ferro-electric material with an encapsulating material. The method further includes forming contacts to the top plate and bottom plate, through the encapsulating material. At least the contact to the top plate and a contact to a diffusion of the CMOS structure are in electrical connection through a common wire.