Ferroelektrische Kondensatormodule und Herstellungsverfahren

Ein Verfahren, aufweisend- Ausbilden einer AlxOy- (24) und/oder TiOx-Schicht (26) auf einer Isolatorschicht einer CMOS-Struktur, aufweisend eine Gate-Struktur (16), einen Source- (S) und einen Drain-Bereich (14);- Ausbilden einer unteren Platte (28) über der AlxOy- (24) und/oder TiOx-Schicht (26),- Ausbilden einer Schicht aus ferroelektrischen Material (30),- Ausbilden einer oberen Platte (32), wobei die Schicht aus ferroelektrischen Material zwischen der oberen und der unteren Platte angeordnet ist,- Strukturieren der oberen Platte (32), um mindestens zwei Strukturen (32a, 32b) zu bilden,- Strukturieren des ferroelektrischen Materials (30), um eine Struktur (30a) zu bilden,- Ummanteln der AlxOy- (24) und/oder TiOx-Schicht (26), der oberen Platte (32), der unteren Platte (28) und des ferroelektrischen Materials (30) mit einem Ummantelungsmaterial, und- Ausbilden von Kontakten (20) an der oberen Platte und der unteren Platte durch das Ummantelungsmaterial,- wobei wenigstens der Kontakt mit der oberen Platte und ein Kontakt mit einer Diffusion der CMOS-Struktur durch eine gemeinsame Leitung in elektrischer Verbindung stehen, wobei- die Ummantelungsschicht aus zwei Schichten besteht (34, 36),- die erste der beiden Schichten (34) auf einer offenen Fläche der unteren Platte und der Strukturen (32a, 32b) der oberen Platte (32) und der Struktur (30a) des ferroelektrischen Materials (30) angeordnet ist, die nach der Strukturierung offengelegt sind, und wobei ein Teil der ersten Schicht auf den Strukturen (32a, 32b, 30a) auf der oberen Platte und dem ferroelektrischen Material angeordnet ist, um die Strukturen (32a, 32b) vor einer Wasserstoff-Verunreinigung zu schützen,- die erste der zwei Schichten über Teilen der ersten Schicht geätzt wird, die über der unteren Platte angeordnet sind, wobei- das Ätzen der ersten der zwei Schichten Teile des ferroelektrischen Materials ätzt, um Seitenwände der AlxOy- (24) und/oder TiOx-Schicht (26) und der unteren Platte (28) freizulegen, und wobei- die zweite der beiden Schichten (36) auf die erste der beiden Schichten und jede der offenen Flächen der unteren Platte, der AlxOy-Schicht (24) und/oder TiOx-Schicht (26) und der darunterliegenden Isolatorschicht aufgebracht wird, die freigelegt wird, wenn die ungeschützten Teile der ersten der zwei Schichten geätzt werden. Ferro-electric capacitor modules, methods of manufacture and design structures. The method of manufacturing the ferro-electric capacitor includes forming a barrier