Nanodraht-Schaltkreise in abgestimmten Einheiten

Eine Invertereinheit beinhaltet einen ersten Nanodraht, der mit dem Kontakt einer Spannungsquelle und einem Massekontakt verbunden ist, eine erste p-leitende Feldeffekttransistor(pFFT)-Einheit, die eine auf dem ersten Nanodraht angeordnete Gate-Elektrode aufweist, und eine erste n-leitende Feldeffekttransistor(nFET)-Einheit, die eine auf dem ersten Nanodraht angeordnete Gate-Elektrode aufweist. A memory device includes a first nanowire connected to a first bit line node and a ground node, a first field effect transistor (FET) having a gate disposed on the first nanowire, a second FET having a gate disposed on the first nanowire, a second nanowire connected to a voltage source node and a first input node, a third FET having a gate disposed on the second nanowire, a third nanowire connected to the voltage source node and a second input node, a fourth FET having a gate disposed on the third nanowire, a fourth nanowire connected to a second bit line node and the ground node, a fifth FET having a gate disposed on the fourth nanowire, and a sixth FET having a gate disposed on the fourth nanowire.