Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung desselben

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers, umfassend folgende Schritte in der folgenden Reihenfolge:einen Randabschnittsabkantenprozess (S1) zum Abkanten eines Randabschnitts eines Halbleiterwafers, um einen abgekanteten Abschnitt (3) zu bilden,einen Grobpolierprozess (S2) zum Hochglanzpolieren beider Oberflächen des Halbleiterwafers zum Steuern einer Planheit des Halbleiterwafers durch Benutzung einer doppelseitigen Poliervorrichtung, welche mit einem den Halbleiterwafer festsetzenden Träger und einer oberen Platte und einer unteren Platte, um den Träger dazwischen einzuschließen, versehen ist, wodurch ein Halbleiterwafer mit einer hochglanzpolierten Hauptoberfläche bereitgestellt wird,einen Randabschnitt-Polierprozess (S3) zum Polieren nur eines äußeren Randabschnitts der Hauptoberfläche, um einen Randabrollbereich (1a) auszubilden,einen Endpolierprozess (S4), der ein weiterer Hochglanzpolierprozess ist, mit dem zumindest die Hauptoberfläche des Halbleiterwafers unter Benutzung einer Poliervorrichtung endpoliert wird, um die Oberflächenrauigkeit wie Trübung zu steuern, undein Bauelementherstellungsprozess des Ausbildens einer Oxidschicht (2) auf der Hauptoberfläche und des Durchführens eines Hochglanzpolierens einer Oberfläche der Oxidschicht durch chemisch-mechanisches Polieren, undwobei beim Durchführen des Randabschnitt-Polierprozesses ein Abrollbetrag des Randabrollbereichs derart festgelegt wird, dass er einem Abrollbetrag der Oxidschichtoberfläche durch das chemisch-mechanische Polieren äquivalent ist, sodass die Dicke der Oxidschicht (2) von dem Mittelpunkt bis zum Rand des Wafers nach dem chemisch-mechanischen Polieren fast gleichförmig ist. A wafer surface of a semiconductor wafer to be used as a device active region is mirror-polished, and an outer peripheral portion of the mirror-polished wafer surface is further polished, thereby forming an edge roll-off region between the device active region of the wafer surface and a beveled portion formed at the wafer edge. The edge roll-off region has a specific roll-off shape corresponding to an edge roll-off of the oxide film to be formed in a device fabrication process. Thus, a semiconductor wafer can be provided in which reduction in the thickness of an oxide film on the outer peripheral portion of the wafer in a CMP process can be prevented while maintaining high flatness of the wafer surface.