Aktivierung von Graphen-Pufferschichten auf Siliciumcarbid

Verfahren zum elektrischen Aktivieren einer Struktur, die eine oder mehrere Graphenschichten aufweist, die über einer Siliciumcarbidschicht gebildet sind, wobei das Verfahren umfasst: Unterwerfen der Struktur an ein Oxidationsverfahren, um eine Siliciumoxidschicht mittels eines Oxidierens einer Oberfläche der Siliciumcarbidschicht zu bilden, die zwischen der Siliciumcarbidschicht und der untersten der einen oder mehreren Graphenschichten angeordnet ist, wodurch die unterste Graphenschicht elektrisch aktiviert wird, wobei sp2-Hybridisierung von Kohlenstoffatomen der untersten der einen oder mehreren Graphenschichten nicht zerstört wird, und deren -Band wiederhergestellt wird. A method of electrically activating a structure having one or more graphene layers formed on a silicon carbide layer includes subjecting the structure to an oxidation process so as to form a silicon oxide layer disposed between the silicon carbide layer and a bottommost of the one or more graphene layers, thereby electrically activating the bottommost graphene layer.