Fotodetektor mit Wellenlängenunterscheidung sowie Verfahren zur Bildung desselben und Entwicklungsstruktur

Fotodetektor (10), der Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (15) ;eine Fotoumwandlungseinheit (20) in dem Halbleitersubstrat (15);eine erste Schicht (25) über der Fotoumwandlungseinheit (20), wobei die erste Schicht (25) eine dielektrische Schicht umfasst, welche die Fotoumwandlungseinheit (20)...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Aitken, John M
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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