Fotodetektor mit Wellenlängenunterscheidung sowie Verfahren zur Bildung desselben und Entwicklungsstruktur
Fotodetektor (10), der Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (15) ;eine Fotoumwandlungseinheit (20) in dem Halbleitersubstrat (15);eine erste Schicht (25) über der Fotoumwandlungseinheit (20), wobei die erste Schicht (25) eine dielektrische Schicht umfasst, welche die Fotoumwandlungseinheit (20)...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Fotodetektor (10), der Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (15) ;eine Fotoumwandlungseinheit (20) in dem Halbleitersubstrat (15);eine erste Schicht (25) über der Fotoumwandlungseinheit (20), wobei die erste Schicht (25) eine dielektrische Schicht umfasst, welche die Fotoumwandlungseinheit (20) komplette überdeckt;eine zweite Schicht (30) direkt auf der ersten Schicht (25), wobei die zweite Schicht (30) aus Metall besteht; undeinen Wellenleiter (35) mit einem Radius r, der über der ersten Schicht (25) und der Fotoumwandlungseinheit (20) in der und durch die zweiten Schicht (30) angeordnet ist, wobei r in einem Bereich von etwa 100 nm bis etwa 400 nm liegt, wobei der Wellenleiter (35) aus dem Luft umgebendem Metall der zweiten Schicht (30) besteht.
The disclosure relates generally to photodetectors and methods of forming the same, and more particularly to optical photodetectors. The photodetector includes a waveguide having a radius that controls the specific wavelength or specific range of wavelengths being detected. The disclosure also relates to a design structure of the aforementioned. |
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