Mikroelektronischer Baustein, der Silliziumpatches für Zwischenverbindungen hoher Dichte enthält, und Verfahren zum Herstellen desselben

Mikroelektronischer Baustein (100), umfassend:ein Substrat (110);ein Siliziumpatch (170), der in das Substrat eingebettet ist;mehrere erste Zwischenverbindungsstrukturen (131) an einem ersten Ort des Siliziumpatches und mehrere zweite Zwischenverbindungsstrukturen (132) an einem zweiten Ort des Siliziumpatches; undeine erste elektrische Leitung und eine zweite elektrische Leitung im Siliziumpatch, die sich in unterschiedliche Tiefen erstrecken, wobei die erste elektrische Leitung eine der mehreren ersten Zwischenverbindungsstrukturen mit einer der mehreren zweiten Zwischenverbindungsstrukturen verbindet unddie zweite elektrische Leitung eine andere der mehreren ersten Zwischenverbindungsstrukturen mit einer anderen der mehreren zweiten Zwischenverbindungsstrukturen verbindet. A microelectronic package comprises a substrate (110), a silicon patch (120) embedded in the substrate, a first interconnect structure (131) at a first location of the silicon patch and a second interconnect structure (132) at a second location of the silicon patch, and an electrically conductive line (150) in the silicon patch connecting the first interconnect structure and the second interconnect structure to each other.