Aufbau eines Dreiphasen-Wechselrichtermoduls

Aufbau eines Dreiphasen-Wechselrichtermoduls, umfassend- mindestens zwei DBC-Keramiksubstrate (4);- mindestens zwei Stromschienen (1);- mindestens ein Halbleiterelement auf jedem der mindestens zwei DBC-Keramiksubstrate (4), wobei über einem der DBC-Keramiksubstrate (4) mindestens eine der Stromschi...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Greul, Roland, Dr, Felber, Bernd, Graf, Werner, Hornstein, Christoph
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Aufbau eines Dreiphasen-Wechselrichtermoduls, umfassend- mindestens zwei DBC-Keramiksubstrate (4);- mindestens zwei Stromschienen (1);- mindestens ein Halbleiterelement auf jedem der mindestens zwei DBC-Keramiksubstrate (4), wobei über einem der DBC-Keramiksubstrate (4) mindestens eine der Stromschienen (1) angeordnet ist, die in einem Rahmen (9) befestigt ist und durch Ultraschallschweißen von mindestens einer Metallfahne (7) der einen der Stromschienen (1) mit dem einen der DBC-Keramiksubstrate (4) mechanisch und elektrisch verbunden ist;- je Phase einen Brückenzweig (A, B, C), bei dem eine an einen positiven Gleichspannungsanschluss (+) angeschlossene high-side Brückenzweighälfte (A.1) und eine an einen negativen Gleichspannungsanschluss (-) angeschlossene low-side Brückenzweighälfte (A.2) jeweils mindestens einen IGBT (SA1, SA2) und mindestens eine Diode (DA1, DA2) umfasst, wobei jede Brückenzweighälfte auf einem einzelnen der DBC-Keramiksubstrate (4) angeordnet ist, wobei zwei der mindestens zwei DBC-Keramiksubstrate (4) einen Brückenzweig (A, B, C) bilden und auf eine gemeinsame Grundplatte (8) gelötet sind;- wobei der Rahmen (9) mindestens eine Leiterplatte trägt, auf der eine Elektronik zur Erfassung einer Gleichspannung eines Zwischenkreises angeordnet ist, wobei ein Abgriff der zu erfassenden Gleichspannung direkt von den Stromschienen (1) der beiden Gleichspannungsanschlüsse (+, -) erfolgt;- der Rahmen (9) Aussparungen (10) zur Aufnahme von beiden Übertragerkernen eines high-side (A.1) und eines low-side (A.2) Gate-Treibers für die IGBTs (SA1, SA2) umfasst;- wobei verbleibende Hohlräume der Aussparungen (10) im Rahmen (9) mit einem elastischen Feststoff ausgefüllt sind. The invention relates to a method for producing and to the assembly of a power module, particularly a power module for use in hybrid and/or electric vehicles, wherein at least one semiconductor element is soldered into at least one DBC ceramic substrate (4). At least one conductor rail (1) is fastened in a frame (9), said rail being disposed over the DBC ceramic substrate (4) and mechanically and electrically connected to the DBC ceramic substrate (4) by the ultrasonic welding of at least one metal lug (7) of the conductor rail (1).