Verfahren und Anordnung zum redundanten Anoden-Sputtern mit einer Dual-Anoden-Anordnung

Verfahren zum redundanten Anoden-Sputtern mit einer Dual-Anoden-Anordnung, bei dem zwei Elektroden entgegengesetzt zueinander abwechselnd als Anode der Plasmaentladung und als Kathode zur Selbstreinigung während einer Ätzzeit betrieben werden und bei dem eine Kathode der Plasmaentladung wiederkehren...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HEISIG, ANDREAS, MIRRING, ENNO, STRÜMPFEL, JOHANNES, TESCHNER, GÖTZ
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zum redundanten Anoden-Sputtern mit einer Dual-Anoden-Anordnung, bei dem zwei Elektroden entgegengesetzt zueinander abwechselnd als Anode der Plasmaentladung und als Kathode zur Selbstreinigung während einer Ätzzeit betrieben werden und bei dem eine Kathode der Plasmaentladung wiederkehrend zum Abbau statischer Aufladung kurzzeitig umgepolt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathode (3) und die Elektroden (1; 2) aus einer Pulsstromversorgung (6) gespeist werden, die Umpolung der Kathodenspannung aus der Pulsstromversorgung (6) bewirkt wird, zu jedem Zeitpunkt mindestens eine Elektrode (1; 2) auf positivem Potential und zeitweise während einer Ätzzeit die andere Elektrode (1; 2) auf negativem Potential liegt, dass die Spannung an der Kathode (3) mittels der Pulsstromversorgung (6) im Zusammenwirken mit einer H-Brückenschaltung (V1...V4), die mit einem Taktgenerator (13) verbunden ist, mit einem Spannungsimpuls umgepolt wird, dessen Impulsdauer geringer ist als die Hälfte der Zeit bis zum nächsten Impuls und dass die Erzeugung der Kathodenspannung asynchron zu der Erzeugung der Anodenspannungen erfolgt.