Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors mit Inter-Poly-Dielektrikum und Feldeffekttransistor mit abgeschirmtem Gate

Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors mit Inter-Poly-Dielektrikum, umfassend:Bilden eines Grabens (202) in einem Siliziumbereich (204) von einem ersten Leitfähigkeitstyp,Bilden einer Abschirmelektrode (208) in einem unteren Abschnitt des Grabens;Bilden eines Inter-Poly-Dielektrikums (214)...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Herrick, Robert, Probst, Dean E, Session, Fred
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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