Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiteranordnung und Verfahren zum Ausbilden eines Transistors

Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiteranordnung, das Verfahren umfassend: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (24); Durchführen einer amorphisierenden Ionenimplantation (10) zum Implantieren von Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps in den Halbleiterkörper (24), wobei die amorphisierende Ionenimplantation (10) ein Endbereichs-Defektgebiet (14) innerhalb des Halbleiterkörpers (24) in einer Tiefe verursacht und wobei die amorphisierende Ionenimplantation (10) bei einer ersten Dosis und einer ersten Implantationsenergie durchgeführt wird; Durchführen einer nicht-amorphisierenden Ionenimplantation (16) zum Implantieren von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps in den Halbleiterkörper (24), die nicht-amorphisierende Ionenimplantation (16) Dotierstoffe im ganzen Endbereichs-Defektgebiet (14) implantiert und wobei die nicht-amorphisierende Ionenimplantation (16) bei einer zweiten Dosis und einer zweiten Implantationsenergie durchgeführt wird, wobei die zweite Dosis niedriger ist als die erste Dosis und die zweite Implantationsenergie höher ist als die erste Implantationsenergie; und Aktivieren der Dotierstoffe durch Erhitzen des Halbleiterkörpers (24) für weniger als 10 ms. A semiconductor device is formed by performing an amorphizing ion implantation to implant dopants of a first conductivity type into a semiconductor body. The first ion implantation causes a defect area (e.g., end-of-range defects) within the semiconductor body at a depth. A non-amorphizing implantation implants dopants of the same conductivity type into the semiconductor body. This ion implantation step implants dopants throughout the defect area. The dopants can then be activated by heating the semiconductor body for less than 10 ms, e.g., using a flash anneal or a laser anneal.