VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITEREINRICHTUNG

Verfahren für die Herstellung einer Halbleitereinrichtung, die einen elektrisch leitfähigen Metallbereich (12) enthält, das umfasst, dass bewirkt wird, dass ein Oxidfilm, der auf einer Oberfläche des elektrisch leitfähigen Metallbereiches (12) gebildet ist, eine Reduktionsbehandlung erfährt, indem der elektrisch leitfähige Metallbereich (12) in einialdruck aufweist, der mittels einer Sauerstoffpumpe (30) auf 1,013 × 10-26 Pa bis 1,013 × 10-8 Pa unterdrückt ist, und das einen Gesamtdruck aufweist, der auf 101,325 Pa oder mehr eingestellt ist, aber Normaldruck nicht übersteigt, auf eine Temperatur zwischen 140°C und 450°C erwärmt wird. For the purpose of removing an oxide film on the surface of a varying metal electroconductive material used for wiring in a semiconductor device without inflicting damage on a peripheral structure, the oxide film formed on the surface of a metal electroconductive region 12 is subjected to a reducing treatment that is effected by placing the metal electroconductive region 12 in a reducing treatment chamber 22, causing an oxygen pump 30 to introduce into the reducing treatment chamber 22 an inert gas having at least an oxygen partial pressure thereof suppressed to 1x10-13 atmosphere or less and heating the metal electroconductive region 12 with a heating device 25.