Reflection or transmission photomask for projection onto semiconductor substrate, e.g. wafer, in integrated circuit production, has substrate with opaque or semitransparent layer(s) covered by passivating layer with unpolar surface

Photomask (1), for projecting a pattern on the mask onto a semiconductor substrate, comprises a substrate (3), first opaque or semitransparent layer(s) (5, 6), in which the pattern is formed as numerous openings (9), and a passivating layer with an unpolar surface on the first layer. An independent claim is also included for production of the mask. Eine Photomaske (1) zur Projektion eines auf der Photomaske (1) gebildeten Musters von Öffnungen (9) auf ein Halbleitersubstrat umfaßt ein Substrat (3), eine opake oder semitransparente Schicht (5, 6), in welcher das Muster als Vielzahl von Öffnungen gebildet ist. Auf der opaken oder semitransparenten Schicht (5, 6) ist eine Passivierungsschicht angeordnet, welche eine unpolare Oberfläche aufweist. Durch die unpolare Oberfläche der Passivierungsschicht wird die Bildung von Kristallen, die Ablagerung von kontaminierenden Teilchen und die Abscheidung unerwünschter Filme vermieden. Vorzugsweise besteht die Passivierungsschicht (7) in einer monomolekularen Monoschicht. Die Erfindung ist im Falle von Transmissionsmasken wie auch bei Reflexionsmasken einsetzbar. Eine bevorzugte Ausführungsform sieht die Bildung der Passivierungsschicht aus einer Flüssigkeits- oder Gasphase mit Tensiden, Copolymeren oder fluororganischen Verbindungen vor.