Lateral position determination method for semiconductor substrate in photolithographic structuring apparatus using positioning marking scanned by detector array

The position determination method has a positioning marking (3) applied to the semiconductor substrate scanned by a number of detectors (5), spaced from one another along a first direction (x). The positioning marking has a first region (11) in which a parameter measured by the detectors has a first value, a second region (12) in which this parameter has a second value and 2 surface regions (13) on either side of a narrow middle region for which the detectors provide a parameter maximum or minimum with an intermediate value. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen einer lateralen Position eines Substrats in einer lithographischen Belichtungseinrichtung. Bei einem Verfahren wird mit Hilfe von Detektoren (5) der Verlauf einer Meßgröße entlang einer ersten Richtung (x) im Bereich einer Positionsmarkierung (3) gemessen. Die Positionsmarkierung besitzt erste (11) und zweite Gebiete (12), in denen die Meßgröße bei ausreichender Größe dieser Gebiete einen ersten bzw. einen zweiten Meßwert annimmt, wobei der Verlauf der Meßgröße (H) im Bereich von Grenzen zwischen ersten und zweiten Gebieten Meßwerte liefert, die zwischen dem ersten und dem zweiten Meßwert liegen. Es sind zwei in der zu vermessenden Richtung (x) voneinander beabstandete zweite Gebiete (12) vorgesehen, deren Zwischenraum erfindungsgemäß so schmal ist, daß der Verlauf der Meßgröße (H) in dessen Mitte ein lokales Maximum oder Minimum aufweist. Mit Hilfe dieses zusätzlichen Extremums wird eine noch präzisere Bestimmung der lateralen Substratposition möglich.