Topographiekorrektur zum Testen redundanter Arrayelemente

Eine Datentopographiekorrekturschaltung für eine Halbleiterspeichervorrichtung und ein Verfahren zum Testen der Vorrichtung sind vorgesehen. Die Datentopographiekorrekturschaltung umfaßt eine redundante Trefferschaltung zum Bestimmen, ob ein redundantes Element verwendet wurde, um ein defektes Element der Halbleiterspeichervorrichtung zu ersetzen, und eine redundante Topologiekorrekturverwürflerschaltung zum Umwandeln von Daten von einer Datentopologie des defekten Elements zu einer Datentopologie des redundanten Elements. Das Verfahren umfaßt die Schritte des Bereitstellens einer Adresse eines Speicherarrayelements der Vorrichtung, die getestet werden soll, des Bestimmens, ob das Speicherarrayelement mit einem redundanten Element ersetzt wurde, und, falls das Speicherarrayelement ersetzt wurde, des Korrigierens von Testdaten zu der Datentopologie des redundanten Elements. A data topography correction circuit for a semiconductor memory device and method for testing the device is provided. The data topography correction circuit includes a redundant hit circuit for determining if a redundant element has been used to replace a defective element; and a redundant topology correction scrambler circuit for converting data from a data topology of the defective element to a data topology of the redundant element. The method includes the steps of providing an address of a memory array element of the device to be tested; determining if the memory array element has been replaced with a redundant element; and, if the memory array element has been replaced, correcting test data to the data topology of the redundant element.