Lithographic mask for making integrated semiconductor circuit by photolithographic process, comprising angular structure element formed by two opaque segments, with adjacent transparent structure at convex section of angular structure

Lithographic mask contains angular structure element (0) formed by two opaque segments (01,2). Structure element contains convex section (A) facing over obtuse angle (alpha). Adjacent to angular element is transparent structure (T), consisting of two transparent segments (T1,2), formed axis-symmetri...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PFORR, RAINER, MOUKARA, MOLELA, THIELE, JOERG, LUDWIG, BURKHARD, MORGANA, NICOLO, KOEHLE, RODERICK, AHRENS, MARCO
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
Schlagworte:
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Beschreibung
Zusammenfassung:Lithographic mask contains angular structure element (0) formed by two opaque segments (01,2). Structure element contains convex section (A) facing over obtuse angle (alpha). Adjacent to angular element is transparent structure (T), consisting of two transparent segments (T1,2), formed axis-symmetrically to angle (alpha) bisecting line (WH). Along this line in convex section, transparent structure is wider than standard width. Lithographic mask contains angular structure element (0) formed by two opaque segments (01,2). Structure element contains convex section (A) facing over obtuse angle (alpha). Adjacent to angular element is transparent structure (T).Transparent structure is formed in two parts, i.e. consisting of two different transparent segments (T1,2), formed axis-symmetrically to angle (alpha) bisecting line (WH). Along this line in convex section, transparent structure is wider than used standard width of transparent segments. Die Erfindung betrifft eine Lithografiemaske mit einem durch ein erstes opakes Segment (O1) und durch ein zweites opakes Segment (O2) gebildeten winkligen Strukturelement (O), das mindestens einen überstumpfen Winkel (alpha) aufweist, wobei das winklige Strukturelement (O) mindestens einen, dem überstumpfen Winkel (alpha) zugewandten, konvexen Abschnitt (A) umfasst, wobei mindestens eine dem winkligen Strukturelement (O) benachbarte transparente Struktur (T) am konvexen Abschnitt (A) des winkligen Strukturelements (O) vorgesehen ist. Aus dem Stand der Technik bekannte Lithografiemasken für konvexe Strukturen weisen mit steigendem Defokuswert der Belichtungsstrahlung ein instabiles Verhalten des konvexen Knickbereichs auf. Die Erfindung löst die Aufgabe, Lithografiemasken bereitzustellen, die bei defokussierter Belichtungsstrahlung ein stabiles Belichtungsverhalten des konvexen Knickbereichs gewährleisten. DOLLAR A Die erfindungsgemäße Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass die transparente Struktur (T) am konkaven Abschnitt (A) des winkligen Strukturelements (O) aufgetrennt ausgebildet ist und somit aus zwei unterscheidbaren transparenten Segmenten (T1, T2) besteht, die mindestens abschnittsweise im Wesentlichen achsensymmetrisch zu der Winkelhalbierenden (WH) des überstumpfen Winkels (alpha) ausgebildet sind, und/oder im konvexen Abschnitt (A) des winkligen Strukturelements (O) im Wesentlichen entlang der Winkelhalbierenden (WH) des überstumpfen Winkels (alpha) eine Breite aufweist, die ...