Vertikales Leistungshalbleiterbauelement

Ein vertikales Leistungshalbleiterbauelement, z. B. eine Diode oder ein IGBT, bei dem auf der Rückseite (R) eines Substrats (S) eine Rückseitentemperatur (14, 14a) oder ein Kathodenemitter (24) und darüber eine diese wenigstens teilweise bedeckende rückseitige Metallschicht (15; 25) gebildet sind, i...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	SCHULZE, HANS-JOACHIM, RUETHING, HOLGER, MILLER, GERHARD, MAUDER, ANTON
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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