Vertikales Leistungshalbleiterbauelement

Ein vertikales Leistungshalbleiterbauelement, z. B. eine Diode oder ein IGBT, bei dem auf der Rückseite (R) eines Substrats (S) eine Rückseitentemperatur (14, 14a) oder ein Kathodenemitter (24) und darüber eine diese wenigstens teilweise bedeckende rückseitige Metallschicht (15; 25) gebildet sind, i...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SCHULZE, HANS-JOACHIM, RUETHING, HOLGER, MILLER, GERHARD, MAUDER, ANTON
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein vertikales Leistungshalbleiterbauelement, z. B. eine Diode oder ein IGBT, bei dem auf der Rückseite (R) eines Substrats (S) eine Rückseitentemperatur (14, 14a) oder ein Kathodenemitter (24) und darüber eine diese wenigstens teilweise bedeckende rückseitige Metallschicht (15; 25) gebildet sind, ist dadurch gekennzeichnet, dass im Randbereich (11; 21) des Bauelements (1-4) Injektionsdämpfungsmittel (18; 28; 14a; 15a) zur Verringerung der Ladungsträgerinjektion aus dem Rückseitenemitter (14, 14a) bzw. dem Kathodenemitter (24) in diesen Randabschnitt (11; 21) vorgesehen sind.