Vertikales Leistungshalbleiterbauelement

Ein vertikales Leistungshalbleiterbauelement, z. B. eine Diode oder ein IGBT, bei dem auf der Rückseite (R) eines Substrats (S) eine Rückseitentemperatur (14, 14a) oder ein Kathodenemitter (24) und darüber eine diese wenigstens teilweise bedeckende rückseitige Metallschicht (15; 25) gebildet sind, ist dadurch gekennzeichnet, dass im Randbereich (11; 21) des Bauelements (1-4) Injektionsdämpfungsmittel (18; 28; 14a; 15a) zur Verringerung der Ladungsträgerinjektion aus dem Rückseitenemitter (14, 14a) bzw. dem Kathodenemitter (24) in diesen Randabschnitt (11; 21) vorgesehen sind. A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.