Einkristall-Ziehvorrichtung und -verfahren und supraleitender Magnet

Einkristall-Ziehvorrichtung, mit einem zylindrischen Ziehofen (1); einem Tiegel (2), der in dem Ziehofen (1) angeordnet ist, um ein darin eingebrachtes Einkristallmaterial für einen Halbleiter zu schmelzen; einem zylindrischen Vakuumbehälter (19), der koaxial um einen äußeren Umfang des Ziehofens (1...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SASAKI, TAKASHI, KOGUCHI, YOSHIHIRO, SHIMONOSONO, TSUTOMU
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS INDUCTANCES MAGNETS METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TRANSFORMERS UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Einkristall-Ziehvorrichtung, mit einem zylindrischen Ziehofen (1); einem Tiegel (2), der in dem Ziehofen (1) angeordnet ist, um ein darin eingebrachtes Einkristallmaterial für einen Halbleiter zu schmelzen; einem zylindrischen Vakuumbehälter (19), der koaxial um einen äußeren Umfang des Ziehofens (1) herum angeordnet ist; und einem supraleitenden Element, das in dem Vakuumbehälter angeordnet ist, um ein Magnetfeld zu erzeugen, das an das Einkristallmaterial angelegt wird, um dadurch eine Konvektion des geschmolzenen Einkristallmaterials in dem Tiegel zu unterdrücken, wobei das supraleitende Element (4a-4d) drei Paare (4a, 4d; 4e, 4b; 4c, 4f) von supraleitenden Spulen aufweist, die in einer gleichen horizontalen Ebene des zylindrischen Vakuumbehälters (19) äquidistant zueinander angeordnet sind, und jedes der supraleitenden Spulenpaare (4a, 4c; 4b, 4d; 4e, 4f) derart eingestellt ist, dass die supraleitenden Spulen jedes Spulenpaares sich in Bezug auf eine Zentralachse des zylindrischen Vakuumsbehälters (19) gegenüberliegen, so dass eine supraleitende Spule (4a) von einem Paar der Spulen (4a, 4d) und eine supraleitende Spule (4b) von dem anderen Paar der Spulen (4b, 4e), in Richtung zum Inneren des zylindrischen Behälters, einen 120° Einstellungswinkel bilden zum Erzeugen eines gleichförmigen Magnetfeldes entlang der gleichen horizontalen Ebene.