Dynamic memory cell refreshing method for memory circuit for mobile applications effected with minimum current requirement

The memory cell refreshing method has the word line (WL) coupled to the memory cell (2) activated, with amplification of the charge potential of the bit lines (BL) of the bit line pair (BLP) in the direction of a higher or a lower refresh potential, in dependence on the charge information held in the memory cell, before de-activation of the word line and charging of the bit lines to a refresh mean potential. The potential difference between the higher refresh potential and the mean refresh potential is greater than the potential difference between the higher charge potential and the mean potential during the read-out of the memory cell. An Independent claim for a memory circuit is also included. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auffrischen einer dynamischen Speicherzelle in einer Speicherschaltung, DOLLAR A wobei die Speicherzelle (2) an einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) eines Bitleitungspaares (BLP) angeordnet ist, DOLLAR A wobei beim Auslesen der Speicherzelle (2) die Wortleitung (WL) aktiviert wird und eine dadurch bewirkte Potentialdifferenz auf den Bitleitungen (BL) des Bitleitungspaares (BLP) auf ein hohes Ladungspotential und ein niedriges Ladungspotential verstärkt wird, DOLLAR A wobei nach dem Auslesen die Potentiale der Bitleitungen (BL) des Bitleitungspaares (BLP) auf ein gemeinsames Mittenpotential geladen werden, DOLLAR A wobei beim Auffrischen der Speicherzelle (2) die Wortleitung (WL) aktiviert wird und DOLLAR A die Ladungspotentiale der Bitleitungen (BL) des Bitleitungspaares (BLP) abhängig von der Ladungsinformation der Speicherzelle (2) in Richtung eines hohen Auffrischpotentials und eines niedrigen Auffrischpotentials verstärkt werden, und wobei nach dem Auffrischen der Speicherzelle (2) die Wortleitung (WL) deaktiviert wird und die Potentiale der Bitleitungen (BL) des Bitleitungspaars (BLP) auf ein Auffrischmittenpotential geladen werden, DOLLAR A dadurch gekennzeichnet, dass DOLLAR A die Potentialdifferenz zwischen dem hohen Auffrischpotential und dem Auffrischmittenpotential größer ist als die Potentialdifferenz zwischen dem hohen Ladungspotential und dem Mittenpotential.