Thin film magnetic memory element has a tunnel barrier layer that is at least partially comprised of Yttrium oxide, arranged between ferromagnetic layers

Thin film magnetic memory element has a hard magnetic ferromagnetic electrode (3) and a soft magnetic ferromagnetic layer (4) separated by a tunnel barrier layer (5) of insulating material. The tunnel barrier layer is at least partially comprises of Yttrium oxide. Das Speicherelement enthält ein magnetoresistives Dünnschichtensystem (2) mit einem gegenüber einem AMR-Effekt erhöhten magnetoresistiven TMR-Effekt. Das System (2) weist wenigstens folgende Teile auf, nämlich eine erste Elektrodenschicht (3) aus ferromagnetischem Material mit einer gegenüber einer zweiten Elektrodenschicht (4) aus ferromagnetischem Material vergleichsweise größeren magnetischen Härte, eine zwischen diesen Elektrodenschichten (3, 4) befindliche Zwischenschicht aus isolierendem Material als eine Tunnelbarrierenschicht (5) und elektrische Anschlüsse an den ferromagnetischen Elektrodenschichten (3, 4). Die Tunnelbarrierenschicht (5) soll zumindest zum Teil Yttriumoxid enthalten.