Scratch or blemish monitoring electronic equipment for use during manufacture of semiconductor wafers calculates parameters relating to position of scratch

The scratch or blemish monitoring electronic equipment has a camera aimed at a semiconductor wafer (3). It is connected to an analysis circuit with a video monitor, which calculates parameters relating to the position of a scratch on the wafer. A line is drawn approximately parallel to the scratch which passes at a measured distance (a) from the center of the circular wafer and intersects the circumference of the circle and two measured points (x1,y1) and (x2,y2). A reference point (x3,y3) is defined on the circumference of the circle. Zur Analyse von Kratzern auf Halbleiterwafern wird die Halbleiterwafer-Oberfläche erfasst und eine eventuelle Kratzerposition bzw. ein Kratzerverlauf auf der Halbleiteroberfläche ermittelt, wobei aus der Kratzerposition und dem Kratzerverlauf ein den Kratzer kennzeichnender Parameterwert bestimmt und dieser ermittelte Parameterwert mit Vergleichsparametern korreliert wird, die Anlagen-spezifische Kratzerpositionen und Kratzerverläufe kennzeichnen, um eine den Kratzer verursachende Anlage zu bestimmen.