Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, Verwendung dieses Verfahrens und integrierte Schaltungsanordnung

Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein Kontaktloch (18) zu einer Leitbahn (14) in einer Isolierschicht (16) hergestellt wird. Anschließend wird eine Barriereschicht (20) aufgebracht. Danach wird eine Fotolackschicht (30) aufgebracht, bestrahlt und entwickelt. Mit Hilfe eines galvani...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LINDNER, CHRISTINE, BRADL, STEPHAN, KERKEL, KLAUS
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein Kontaktloch (18) zu einer Leitbahn (14) in einer Isolierschicht (16) hergestellt wird. Anschließend wird eine Barriereschicht (20) aufgebracht. Danach wird eine Fotolackschicht (30) aufgebracht, bestrahlt und entwickelt. Mit Hilfe eines galvanischen Verfahens wird danach ein Kupferkontakt (32) in dem Kontaktloch (18) erzeugt. Entweder dient die Barriereschicht (20) oder eine zusätzliche Grenzelektrodenschicht (22) als Grenzelektrode in dem galvanischen Prozess. Kritische Metallkontaminationen werden durch dieses Verfahren in der Fertigung gering gehalten.