Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung von Stressmigrations-Eigenschaften

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erfassung von Stressmigrations-Eigenschaften eines in einem produktrelevanten Gehäuse (G) endmontierten Halbleiter-Baustein (IC) mit einer Stressmigrations-Teststruktur (SMT), die im Halbleiter-Baustein (IC) ausgebildet ist. Zur Erhöhung...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GLASOW, ALEXANDER VON, HAGEN, JOCHEN VON, FISCHER, ARMIN
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	MEASURING MEASURING ELECTRIC VARIABLES MEASURING MAGNETIC VARIABLES PHYSICS TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erfassung von Stressmigrations-Eigenschaften eines in einem produktrelevanten Gehäuse (G) endmontierten Halbleiter-Baustein (IC) mit einer Stressmigrations-Teststruktur (SMT), die im Halbleiter-Baustein (IC) ausgebildet ist. Zur Erhöhung einer Erfassungsgenauigkeit auch einer durch das Gehäuse (G) verursachten Beanspruchung sigma¶G¶ ist innerhalb oder in unmittelbarer Nähe der Stressmigrations-Teststruktur (SMT) eine integrierte Heizvorrichtung (IH) ausgebildet.