Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers und Vorrichtung zur Durchführung desselben

Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Verarbeiten eines Wafers bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung und ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ätzen eines Materials, das auf dem Wafer ausgebildet ist, offenbart, wobei erste und zweite Kühlelemente eine Umgebungstemperatur in der Nähe einer Vielzahl von Wafern auf eine erste Temperatur einstellen, wobei die Wafer durch Zuführen eines Reaktionsgases bei der ersten Temperatur verarbeitet werden und wobei anschließend ein Heizelement die Temperatur der Atmosphäre in der Nähe der Wafer von der ersten Temperatur auf die zweite Temperatur rasch anhebt, um Nebenprodukte, die während der Verarbeitung erzeugt worden sind, teilweise zu separieren, und wobei die zweite Temperatur zum Separieren der meisten Nebenprodukte von dem Wafer aufrechterhalten wird und wobei ferner die Verarbeitungsschritte in-situ innerhalb des gleichen Raumes durchgeführt werden. Dementsprechend kann eine natürliche (native) Oxidschicht, die auf zahlreichen Wafern ausgebildet ist, geätzt werden und Reaktionsnebenprodukte können in-situ in der gleichen Kammer entfernt werden, so daß eine Produktivität verbessert wird.