Cleaning a semiconductor wafer comprises treating the wafer under megasound with an aqueous solution containing ozone, and treating the wafer with an aqueous solution containing hydrofluoric acid and hydrochloric acid

Cleaning a semiconductor wafer having a hydrophobic surface before cleaning comprises treating the wafer under the influence of megasound with an aqueous solution containing ozone, and treating the wafer with an aqueous solution containing hydrofluoric acid and hydrochloric acid. The aqueous solution in the first step is impinged with megasound only from the point when an oxide layer having a thickness of 0.4-1.5 nm has formed on the surface of the wafer. The wafer is not contacted with substances which chemically react with the surface of the wafer between the two steps. An Independent claim is also included for a semiconductor wafer produced by the above process. Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe, die vor der Reinigung eine hydrophobe Oberfläche aufweist, wobei das Verfahren folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge umfasst: DOLLAR A a) Behandlung der Halbleiterscheibe unter Einwirkung von Megaschall mit einer wässrigen Lösung, die Ozon enthält, und DOLLAR A b) Behandlung der Halbleiterscheibe mit einer wässrigen Lösung, die Flusssäure und Salzsäure enthält, DOLLAR A wobei die wässrige Lösung in Schritt a) erst ab dem Zeitpunkt mit Megaschall beaufschlagt wird, wenn sich an der Oberfläche der Halbleiterscheibe eine Oxidschicht mit einer Dicke von 0,4 bis 1,5 nm gebildet hat, und wobei die Halbleiterscheibe zwischen den Schritten a) und c) nicht mit Substanzen in Kontakt gebracht wird, die mit der Oberfläche der Halbleiterscheibe chemisch reagieren. DOLLAR A Gegenstand der Erfindung ist auch eine durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiterscheibe, die bei einem Randausschluss von 3 mm für Partikel mit einem Durchmesser von 0,05 mum LSE oder mehr eine Partikeldichte von 0,32 cm·2· oder weniger, eine Oberflächenkonzentration von Kupfer von 1 È 10·9· Atome/cm·2· oder weniger und organische Verunreinigungen an der Oberfläche von 0,03 ng/cm·2· oder weniger aufweist.