Resonator used as a thin film bulk acoustic wave resonator in mobile communication devices contains a piezoelectric layer and a puncture-resistant layer arranged between a lower electrode and an upper electrode

Resonator contains a piezoelectric layer (PS) and a puncture-resistant layer (DS) arranged between a lower electrode (UE) and an upper electrode (OE). The puncture resistance of the puncture-resistant layer is larger than the puncture resistance of the piezoelectric layer and the piezoelectric layer is twice as thick as the puncture-resistant layer. Die Erfindung befaßt sich mit einem durchschlagfesten mit akustischen Wellen arbeitenden Resonator. Der erfindungsgemäße Resonator enthält zwei Elektroden und eine zwischen ihnen angeordnete Schichtfolge, welche zumindest eine piezoelektrische Schicht und eine weitere dielektrische Schicht - die durchschlagsfeste Schicht - umfaßt, wobei die letztere Schicht eine vorzugsweise wesentlich höhere Durchschlagsfestigkeit als die piezoelektrische Schicht oder die piezoelektrischen Schichten aufweist und dadurch den elektrischen Durchschlägen zwischen den Elektroden vorbeugt.