Production of a SOI substrate comprises preparing a SOI substrate by embedding a trenched oxide layer between a crystalline silicon layer and a silicon substrate

Production of a SOI substrate comprises preparing a SOI substrate by: (a) embedding a trenched oxide layer (BOX) between a crystalline silicon layer and a silicon substrate (Si); (b) applying a hard mask layer on at least one region of the silicon layer; (c) forming a window in the hard mask layer to expose the silicon layer in the window region; (d) removing the silicon layer in the window region by dry etching from a first silicon layer thickness to a second silicon layer thickness; and (e) removing the silicon layer in the window region by local oxidation of the silicon and wet chemical etching of the silicon oxide formed to a third silicon layer thickness. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines SOI-Substrats für einen SOI-Feldeffekttransistor, umfassend folgende Schritte in dieser Reihenfolge: DOLLAR A (a) Bereitstellen eines SOI-Substrats, bei welchem eine vergrabene Oxidschicht (BOX) zwischen einer kristallinen Siliziumschicht (C-Si) und einem Substrat (Si) eingebettet ist; DOLLAR A (b) Aufbringen einer Hartmaskenschicht (HM) auf zumindest einen Bereich der Siliziumschicht (C-Si); DOLLAR A (c) Öffnen eines Fensters (10) in der Hartmaskenschicht (HM) zum Freilegen der Siliziumschicht (C-Si) in einem Fensterbereich (12); DOLLAR A (d) Abtragen der Siliziumschicht (C-Si) in dem Fensterbereich (12) durch einen Trockenätzprozeß von einer ersten Siliziumschichtdicke d¶1¶ auf eine zweite Siliziumschichtdicke d¶2¶ und DOLLAR A (e) Abtragen der Siliziumschicht (C-Si) in dem Fensterbereich (12) durch lokale Oxidation des Siliziums und nachfolgendes naßchemisches Ätzen des gebildeten Siliziumoxids auf eine dritte Siliziumschichtdicke d¶3¶.