Magnetic storage element for reading and writing operations has a cobalt-iron alloy layer arranged on the side of a magneto-resistive thin layer system facing the substrate

Magnetic storage element comprises a magneto-resistive thin layer system (3) of the XMR type consisting of a non-magnetic decoupling layer arranged between a soft magnetic detection layer and a magnetically harder reference layer or a corresponding reference layer sub-system (11). The thin layer system is arranged on a substrate (4). A layer (11a) made from a CoFe alloy is arranged on the side of the thin layer system facing the substrate. A buffer double layer (8) is arranged between the substrate and the thin layer system. The buffer double layer is made from copper layer (8a) having a thickness of 3-50 nm facing the substrate and a ruthenium layer (8b) having a thickness of 2-50 nm lying on the copper layer. Das Speicherelement (2) enthält ein magnetoresistives Dünnschichtensystem (3) vom XMR-Typ mit mindestens zwei magnetischen Schichten (10, 11) aus magnetischem Material unterschiedlicher magnetischer Härte und einer Zwischenschicht (12) aus nicht-magnetischem Material. Dieses System (3) ist mit einer magnetischen Schicht (11a) aus einer CoFe-Legierung auf einer Puffer-Doppelschicht (8) angeordnet, die sich auf einem tragenden Unterbau (4) befindet. Die Pufferschicht-Doppelschicht (8) besteht aus einer dem Unterbau (4) zugewandten Cu-Schicht (8a) mit einer Dicke (d8a) zwischen 3 und 50 nm, vorzugsweise 5 und 30 nm, und einer der CoFe-Schicht (11a) zugewandten, an dieser anliegenden Ru-Schicht (8b) mit einer Dicke (d8b) zwischen 2 und 50 nm, vorzugsweise 3 und 30 nm.