Indiumgalliumnitrid-Glättungsstrukturen für III-Nitried-Anordnungen

Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit:- einem Substrat (11);- einem über dem Substrat (11) liegenden n-Gebiet (12);- einer über dem n-Gebiet (12) liegenden Indium enthaltenden Glättungsschicht (14, 60),◯ wobei die Glättungsschicht (14, 60) zumindest 200·10-10m (Ångström) dick ist;- einer über der Glättungsschicht (14, 60) liegenden Spacerschicht (15);◯ wobei die Spacerschicht eine Dicke von 10·10-10m bis 200·10-10m aufweist;- einem über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven Gebiet (16);- einem über dem aktiven Gebiet (16) liegenden p-Gebiet (17), wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine größere Dotierstoffkonzentration enthält als die Spacerschicht (15) und das n-Gebiet(12) höher dotiert ist als die Glättungsschicht (14, 60) und eine Oberfläche der Glättungsschicht (14, 60) weniger als einen halben Mikrometer von einer Oberfläche des aktiven Gebietes (16) liegt, und wobei die Glättungsschicht (14) InGaN ist, das einen In-Anteil zwischen etwa 2 und etwa 12 Prozent hat. A smoothing structure containing indium is formed between the substrate and the active region of a III-nitride light emitting device to improve the surface characteristics of the device layers. In some embodiments, the smoothing structure is a single layer, separated from the active region by a spacer layer which typically does not contain indium. The smoothing layer contains a composition of indium lower than the active region, and is typically deposited at a higher temperature than the active region. The spacer layer is typically deposited while reducing the temperature in the reactor from the smoothing layer deposition temperature to the active region deposition temperature. In other embodiments, a graded smoothing region is used to improve the surface characteristics. The smoothing region may have a graded composition, graded dopant concentration, or both.