Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Licht emittierende III-Nitrid-Anordnung mit:- einem Substrat (11);- einem über dem Substrat (11) liegenden n-Gebiet (12);- einer über dem n-Gebiet (12) liegenden Indium enthaltenden Glättungsschicht (14, 60)* wobei die Glättungsschicht (14, 60) eine sich verändernde DotierstoffKonzentration aufweist und* wobei sich der Anteil an Indium in der Glättungsschicht (14, 60) monoton verändert,- einer über der Glättungsschicht (14, 60) liegenden Spacerschicht (15) mit konstanter Dotierstoffkonzentration und konstanter Zusammensetzung,- einem über der Spacerschicht (15) liegenden aktiven Gebiet (16) und- einem über dem aktiven Gebiet (16) liegenden p-Gebiet (17). A smoothing structure containing indium is formed between the substrate and the active region of a III-nitride light emitting device to improve the surface characteristics of the device layers. In some embodiments, the smoothing structure is a single layer, separated from the active region by a spacer layer which typically does not contain indium. The smoothing layer contains a composition of indium lower than the active region, and is typically deposited at a higher temperature than the active region. The spacer layer is typically deposited while reducing the temperature in the reactor from the smoothing layer deposition temperature to the active region deposition temperature. In other embodiments, a graded smoothing region is used to improve the surface characteristics. The smoothing region may have a graded composition, graded dopant concentration, or both.