Leistungspaket mit galvanischer Isolierung

Halbleiterpackage mit einer Eingangsseite, die Eingangsstifte enthält, einer Ausgangsseite, die Hochspannungsstifte enthält, einer Isolationsstruktur, die die Eingangsseite von der Ausgangsseite galvanisch trennt, einem Eingangstreiberdie, der auf der Eingangsseite montiert und elektrisch mit den Eingangsstiften verbunden ist, einem ersten und einem zweiten Leistungstransistordie auf der Ausgangsseite montiert sind und jeweils einen ersten Lastanschluss haben, der elektrisch mit den Hochspannungsstiften verbunden ist, einem Ausgangstreiberdie, der über die Isolationsstruktur kommunikativ mit dem Eingangstreiberdie gekoppelt und elektrisch mit den Gate-Anschlüssen des ersten und zweiten Leistungstransistordies verbunden ist, und eine oder mehrere elektrisch leitende Strukturen, die eine direkte elektrische Verbindung zwischen Lastanschlüssen des ersten und zweiten Leistungstransistordies bilden, wobei der Ausgangstreiberdie auf einer der einen oder mehreren elektrisch leitenden Strukturen montiert ist. A semiconductor package includes an input side including input pins an output side including high voltage pins, an isolation structure that galvanically isolates the input side from the output side, an input driver die mounted on the input side and electrically connected with the input pins, first and second power transistor dies mounted on the output side and each having a first load terminal electrically connected with the high voltage pins, an output driver die that is communicatively coupled to the input driver die driver die via the isolation structure and is electrically connected with gate terminals of the first and second power transistor dies, and one or more electrically conductive structures forming a direct electrical connection between load terminals of the first and second power transistor dies, wherein the output driver die is mounted on one of the one or more electrically conductive structures.