LEERMASKE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DERSELBEN

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zu Herstellen einer Blindmaske, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines lichtabschirmenden Films auf einem lichtdurchlässigen Substrat; und Reinigen des lichtabschirmenden Films mit einer Reinigungslösung, wobei der lichtabschirmende Film beim Reinigen eine Dic...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kim, Tae Wan, Lee, Geon Gon, Jeong, Min Gyo, Lee, Hyung Joo, Kim, Tae Young
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zu Herstellen einer Blindmaske, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines lichtabschirmenden Films auf einem lichtdurchlässigen Substrat; und Reinigen des lichtabschirmenden Films mit einer Reinigungslösung, wobei der lichtabschirmende Film beim Reinigen eine Dickenänderung von weniger als 5 nm aufweist. A method of fabricating a blank mask, the method including: forming a light-shielding film on a light-transmissive substrate; and cleaning the light-shielding film with a cleaning solution, wherein in the cleaning, the light-shielding film has a thickness change of less than 5 nm. The blank mask may include a light-transmissive substrate and a light-shielding film disposed on the light-transmissive substrate. Further, on an entire surface of the blank mask, a content of halogen ions is less than 0.05 ng/cm2, a content of nitrogen-based ions is less than 2 ng/cm2, and a content of sulfur-based ions is less than 0.1 ng/cm2. The blank mask may be a photomask.