Subtraktives Metallstrukturieren auf der Oberfläche eines Halbleiterpackages

Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterpackages enthält das Bereitstellen einer Basisplatte, das Montieren eines Halbleiter-Dies auf der Basisplatte, wobei eine Hauptoberfläche des Halbleiter-Dies von der Basisplatte abgewandt ist, das Bilden vertikaler Verbindungselemente auf der Hauptoberfläche des Halbleiter-Dies, das Bilden einer Einkapselung auf der Basisplatte, welche den Halbleiter-Die einkapselt, das Freilegen der vertikalen Verbindungselemente an einer oberen Oberfläche der Einkapselung, das Bilden eines Erste-Ebene-Metallpads auf der oberen Oberfläche der Einkapselung, welches die freiliegenden vertikalen Verbindungselemente kontaktiert, und das Bilden strukturierter Metallbereiche auf der oberen Oberfläche der Einkapselung, wobei das Bilden der strukturierten Metallbereiche das Strukturieren des Erste-Ebene-Metallpads enthält. A method of forming a semiconductor package includes providing a baseplate, mounting a semiconductor die on the baseplate with a main surface of the semiconductor die facing away from the baseplate, forming vertical interconnect elements on the main surface of the semiconductor die, forming an encapsulant on the baseplate that encapsulates the semiconductor die, exposing the vertical interconnect elements at an upper surface of the encapsulant, forming a first level metal pad on the upper surface of the encapsulant that contacts the exposed vertical interconnect elements, and forming structured metal regions on the upper surface of the encapsulant, wherein forming the structured metal regions includes structuring the first level metal pad.