Halbleitervorrichtung, Leistungsumwandlungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Ein Ziel besteht darin, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, bei der eine Ungleichmäßigkeit im äußeren Erscheinungsbild in einer Metallschicht auf einer Elektrode reduziert ist. Eine Halbleitervorrichtung (101) weist ein Halbleitersubstrat (1), eine vordere Oberflächenelektrode (2), eine erste Metallschicht (3) und eine zweite Metallschicht (4) auf. Die vordere Oberflächenelektrode (2) enthält Al. Die vordere Oberflächenelektrode (2) ist an einer vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) angeordnet. Die erste Metallschicht (3) enthält Ni. Die erste Metallschicht (3) ist auf der vorderen Oberflächenelektrode (2) angeordnet. Die zweite Metallschicht (4) enthält Ni. Die zweite Metallschicht (4) ist auf der ersten Metallschicht (3) angeordnet. Eine Oberflächenrauigkeit der ersten Metallschicht (3) ist größer als jene der zweiten Metallschicht (4). An object is to provide a semiconductor device in which an appearance unevenness is reduced in a metal layer on an electrode. A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a front surface electrode, a first metal layer, and a second metal layer. The front surface electrode contains Al. The front surface electrode is provided to a front surface of the semiconductor substrate. The first metal layer contains Ni. The first metal layer is provided on the front surface electrode. The second metal layer contains Ni. The second metal layer is provided on the first metal layer. A surface roughness of the first metal layer is larger than that of the second metal layer.