VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS

Die Zuverlässigkeit eines Halbleiterbauelements wird verbessert. Eine Feldplattenelektrode wird, auf einem Isolierfilm innerhalb eines Grabens gebildet. Als nächstes wird der Isolierfilm durch einen isotropen Ätzprozess ausgedünnt, und ein oberer Abschnitt der Feldplattenelektrode wird vom Isolierfilm freigelegt. Anschließend wird ein isotroper Ätzprozess (chemischer Trockenätzprozess) an der aus dem Isolierfilm freigelegten Feldplattenelektrode durchgeführt. Auf diese Weise wird eine Ecke des oberen Abschnitts der Feldplattenelektrode abgeschrägt oder abgerundet, so dass eine Konzentration des elektrischen Feldes am oberen Abschnitt der Feldplattenelektrode abgemildert werden kann. Reliability of a semiconductor device is improved. A field plate electrode is formed on an insulating film inside a trench. Next, by an isotropic etching process to the insulating film, the insulating film is thinned, and an upper portion of the field plate electrode is exposed from the insulating film. Next, an isotropic etching process (chemical dry etching process) is performed to the field plate electrode exposed from the insulating film. In this manner, a corner of the upper portion of the field plate electrode is chamfered or rounded, and therefore, a concentration of electric field at the upper portion of the field plate electrode can be moderated.