Detektor und Erfassungssystem

Ein Detektor umfasst ein Substrat und einen Isolierfilm, der über eine Hauptfläche des Substrats gebildet ist. Das Substrat umfasst ein Umwandlungselementabschnitt und einen Isolierbereich, der in einem Vertiefungsabschnitt der Hauptfläche angeordnet ist. Der Umwandlungselementabschnitt umfasst weit...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Watanabe, Takanori, Osawa, Kazutaka, Wada, Zempei
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ein Detektor umfasst ein Substrat und einen Isolierfilm, der über eine Hauptfläche des Substrats gebildet ist. Das Substrat umfasst ein Umwandlungselementabschnitt und einen Isolierbereich, der in einem Vertiefungsabschnitt der Hauptfläche angeordnet ist. Der Umwandlungselementabschnitt umfasst weiterhin einen ersten Halbleiterbereich, der auf der Hauptfläche gebildet ist und von einem ersten Leitfähigkeitstyp ist, einen zweiten Halbleiterbereich, der auf der Hauptfläche gebildet ist und von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist, und einen dritten Halbleiterbereich, der unter dem ersten Halbleiterbereich und dem zweiten Halbleiterbereich gebildet ist und von dem ersten Leitfähigkeitstyp ist. In einer Draufsicht mit Bezug auf die Hauptfläche befindet sich der Isolierbereich zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem zweiten Halbleiterbereich in zumindest einer Richtung. A detector includes a substrate and an insulating film formed over a main surface of the substrate. The substrate includes a conversion element portion and an insulator region disposed in a recess portion of the main surface. The conversion element portion includes a first semiconductor region that is formed on the main surface and is of a first conductivity type, a second semiconductor region that is formed on the main surface and is of a second conductivity type, and a third semiconductor region that is formed under the first semiconductor region and the second semiconductor region and is of the first conductivity type. In a plan view with respect to the main surface, the insulator region is located between the first semiconductor region and the second semiconductor region in at least one direction.