VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENEMITTIERENDEN LASERELEMENTS MIT VERTIKALER KAVITÄT UND OBERFLÄCHENEMITTIERENDES LASERELEMENT MIT VERTIKALER KAVITÄT

Ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenemittierenden Laserelements mit vertikaler Kavität enthält: Bereitstellen einer Nitrid-Halbleiterschicht, die eine n-seitige Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine p-seitige Halbleiterschicht enthält, die in dieser Reihenfolge geschichtet sind, wobei die p-seitige Halbleiterschicht eine obere Oberfläche der Nitrid-Halbleiterschicht definiert; Bilden eines Maskenbauteils auf einem Bereich der oberen Oberfläche der Nitrid-Halbleiterschicht; Platzieren der p-seitigen Halbleiterschicht in einer Sauerstoffatmosphäre zusammen mit einem Bauteil, das Aluminium oder Quarz enthält, und Durchführen eines reaktiven lonenätzens auf einem Bereich der p-seitigen Halbleiterschicht; Durchführen, in einer Sauerstoffatmosphäre, einer Wärmebehandlung auf der p-seitigen Halbleiterschicht; Entfernen des Maskenbauteils; und Bilden einer Elektrode auf der oberen Oberfläche der Nitrid-Halbleiterschicht über den Bereich, der dem reaktiven lonenätzen unterzogen wurde, und den Bereich, von dem das Maskenbauteil entfernt wurde. A method of manufacturing a vertical cavity surface emitting laser element includes: providing a nitride semiconductor layer including an n-side semiconductor layer, an active layer, and a p-side semiconductor layer layered in this order, with the p-side semiconductor layer defining an upper surface of the nitride semiconductor layer; forming a mask member on a portion of the upper surface of the nitride semiconductor layer; placing the p-side semiconductor layer in an oxygen atmosphere together with a member containing aluminum or quartz and performing reactive ion etching on a portion of the p-side semiconductor layer; performing, in an oxygen atmosphere, heat treatment on the p-side semiconductor layer; removing the mask member; and forming an electrode on the upper surface of the nitride semiconductor layer across the portion having been subjected to the reactive ion etching and the portion from which the mask member has been removed.