KONTAKTSTECKER MIT VERRINGERTEM R/C UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Ein Verfahren umfasst ein Ausbilden eines Kontaktabstandshalters auf einer Seitenwand eines Zwischenschichtdielektrikums, wobei der Kontaktabstandshalter eine Kontaktöffnung umgibt, Ausbilden eines Silizidbereichs in der Öffnung und auf einem Source/Drain-Bereich, Abscheiden einer Haftschicht, die sich in die Kontaktöffnung erstreckt, und Durchführen eines Behandlungsprozesses, so dass der Kontaktabstandshalter behandelt wird. Der Behandlungsprozess ist aus der Gruppe ausgewählt, die aus einem Oxidationsprozess, einem Karbonisierungsprozess und Kombinationen davon besteht. Das Verfahren umfasst ferner ein Abscheiden einer Metallbarriere über der Haftschicht, Abscheiden eines metallischen Materials, um die Kontaktöffnung zu füllen, und Durchführen eines Planarisierungsprozesses, um überschüssige Anteile des metallischen Materials über dem Zwischenschichtdielektrikum zu entfernen. A method includes forming a contact spacer on a sidewall of an inter-layer dielectric, wherein the contact spacer encircles a contact opening, forming a silicide region in the opening and on a source/drain region, depositing an adhesion layer extending into the contact opening, and performing a treatment process, so that the contact spacer is treated. The treatment process is selected from the group consisting of an oxidation process, a carbonation process, and combinations thereof. The method further includes depositing a metal barrier over the adhesion layer, depositing a metallic material to fill the contact opening, and performing a planarization process to remove excess portions of the metallic material over the inter-layer dielectric.