INTEGRIERTE BILDSENSOR-CHIPSTRUKTUR

Die vorliegende Offenbarung betrifft eine integrierten Bildsensor-Chipstruktur. Die integrierte Bildsensor-Chipstruktur weist eine oder mehrere Logikvorrichtungen auf, die in einem ersten Substrat angeordnet und mit einer ersten Interconnect-Struktur auf dem ersten Substrat verbunden sind. Mehrere Pixelunterstützungsvorrichtungen sind entlang einer ersten Seite eines zweiten Substrats angeordnet und mit einer zweiten Interconnect-Struktur auf dem zweiten Substrat verbunden. Das erste Substrat ist an das zweite Substrat gebondet. Mehrere Bilderfassungselementen sind in einem dritten Substrat in Pixelbereichen angeordnet, die jeweils zwei oder mehr der mehreren Bilderfassungselementen aufweisen. Auf einer ersten Seite des dritten Substrats sind mehrere Transfergates und eine dritte Interconnect-Struktur angeordnet. Die dritte Interconnect-Struktur weist Interconnect-Drähte und - Durchkontaktierungen auf, die zwischen der ersten Seite des zweiten Substrats und der ersten Seite des dritten Substrats angeordnet sind. The present disclosure relates to an image sensor integrated chip structure. The image sensor integrated chip structure includes one or more logic devices disposed within a first substrate and coupled to a first interconnect structure on the first substrate. A plurality of pixel support devices are disposed along a first-side of a second substrate and coupled to a second interconnect structure on the second substrate. The first substrate is bonded to the second substrate. A plurality of image sensing elements are disposed within a third substrate in pixel regions respectively including two or more of the plurality of image sensing elements. A plurality of transfer gates and a third interconnect structure are disposed on a first-side of the third substrate. The third interconnect structure includes interconnect wires and vias confined between the first-side of second substrate and the first-side of the third substrate.