EINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ZWEISTUFIGEN LESEN EINES RESISTIVEN DIREKTZUGRIFFSSPEICHERS

Es wird eine Einrichtung bereitgestellt, die ein Speicherarray und eine Steuerschaltung einschließt. Das Speicherarray schließt nichtflüchtige Speicherzellen ein, die jeweils ein resistives Direktzugriffsspeicherelement einschließen. Die Steuerschaltung ist eingerichtet, um einen Lesebefehl zu empfangen, der eine Adresse einer ersten Gruppe der nichtflüchtigen Speicherzellen spezifiziert, einen ersten vorbestimmten Lesereferenzwert zu verwenden, um ein erstes Lesen der ersten Gruppe der nichtflüchtigen Speicherzellen durchzuführen, um erste Lesedaten bereitzustellen, während das erste Lesen durchgeführt wird, aus einem Speicher einen zweiten vorbestimmten Lesereferenzwert abzurufen, der der spezifizierten Adresse entspricht, und als Reaktion darauf, dass eine Bedingung in Bezug auf die ersten Lesedaten erfüllt ist, den zweiten vorbestimmten Lesereferenzwert zu verwenden, um ein zweites Lesen der ersten Gruppe der nichtflüchtigen Speicherzellen durchzuführen, um zweite Lesedaten bereitzustellen. An apparatus is provided that includes a memory array and a control circuit. The memory array includes non-volatile memory cells each including a resistive random access memory element. The control circuit is configured to receive a read command that specifies an address of a first group of the non-volatile memory cells, use a first predetermined read reference value to perform a first read of the first group of the non-volatile memory cells to provide first read data, while performing the first read, retrieve from a memory a second predetermined read reference value corresponding to the specified address, and in response to a condition being satisfied regarding the first read data, use the second predetermined read reference value to perform a second read of the first group of the non-volatile memory cells to provide second read data.