DURCH-SILICIUM-VIA-DIE

Durch-Silicium-Via-Dies werden beschrieben. In einem Beispiel beinhaltet ein Halbleiter-Die ein Substrat mit einer Vorrichtungsseite und einer Rückseite. Eine aktive Vorrichtungsschicht befindet sich in oder auf der Vorrichtungsseite des Substrats. Eine dielektrische Struktur befindet sich über der...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Chugh, Sunny, Ingerly, Doug, Kabir, Mohammad Enamul, Kasim, Rahim, Taylor, John Kevin, Pelto, Christopher M, Dhayal, Babita, Zawadzki, Keith, Zhang, Zizheng
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!