DURCH-SILICIUM-VIA-DIE

Durch-Silicium-Via-Dies werden beschrieben. In einem Beispiel beinhaltet ein Halbleiter-Die ein Substrat mit einer Vorrichtungsseite und einer Rückseite. Eine aktive Vorrichtungsschicht befindet sich in oder auf der Vorrichtungsseite des Substrats. Eine dielektrische Struktur befindet sich über der aktiven Vorrichtungsschicht. Ein erster Die-Rand-Metallschutzring befindet sich in der dielektrischen Struktur und um einen Außenumfang des Substrats herum. Eine Vielzahl von Metallisierungsschichten befindet sich in der dielektrischen Struktur und innerhalb des ersten Die-Rand-Metallschutzrings. Eine Vielzahl von Silicium-Vias befindet sich in dem Substrat und erstreckt sich in die dielektrische Struktur hinein und ist mit der Vielzahl von Metallisierungsschichten verbunden. Eine Vielzahl von Rückseiten-Metallisierungsstrukturen befindet sich unterhalb der Rückseite des Substrats. Die Vielzahl von Silicium-Vias ist mit der Vielzahl von Rückseiten-Metallisierungsstrukturen verbunden. Ein zweiter Die-Rand-Metallschutzring befindet sich lateral um die Vielzahl von Rückseiten-Metallisierungsstrukturen herum. Through-silicon via dies are described. In an example, a semiconductor die includes a substrate having a device side and a backside. An active device layer is in or on the device side of the substrate. A dielectric structure is over the active device layer. A first die-edge metal guard ring is in the dielectric structure and around an outer perimeter of the substrate. A plurality of metallization layers is in the dielectric structure and within the first die-edge metal guard ring. A plurality of through silicon vias is in the substrate and extend into the dielectric structure and are connected to the plurality of metallization layers. A plurality of backside metallization structures is beneath the backside of the substrate. The plurality of through silicon vias are connected to the plurality of backside metallization structures. A second die-edge metal guard ring is laterally around the plurality of backside metallization structures.