EUV-Reflektometer und Verfahren zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften einer Probenoberfläche

Reflektometer zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften einer Probenoberfläche (47), umfassend eine EUV-Strahlungsquelle (44) zum Abgeben von EUV-Strahlung, eine zwischen der EUV-Strahlungsquelle (44) und der Probenoberfläche (47) angeordnete Belichtungsoptik (50) und einen Detektor (42). Die Belich...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Freimann, Rolf
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MATERIALS THEREFOR MEASURING ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Reflektometer zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften einer Probenoberfläche (47), umfassend eine EUV-Strahlungsquelle (44) zum Abgeben von EUV-Strahlung, eine zwischen der EUV-Strahlungsquelle (44) und der Probenoberfläche (47) angeordnete Belichtungsoptik (50) und einen Detektor (42). Die Belichtungsoptik (50) definiert einen EUV-Strahlengang (36), über den von der EUV-Strahlungsquelle (44) abgegebene EUV-Strahlung auf die Probenoberfläche (47) geleitet wird, so dass ein an der Probenoberfläche (47) reflektierter Anteil der EUV-Strahlung auf den Detektor (42) trifft. Zwischen der EUV-Strahlungsquelle (44) und der Probenoberfläche (47) ist ein EUV-Polarisationsfilter (32) angeordnet, so dass die EUV-Strahlung in einem polarisierten Zustand auf die Probenoberfläche (47) auftrifft. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften einer Probenoberfläche (47).