LICHTEMITTIERENDE ANZEIGEVORRICHTUNG

Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die aufweist: ein Subpixel (SP1, SP2, SP3, SP4), das einen Lichtemissionsbereich (EA) und einen Schaltungsbereich (CA) aufweist, die in einer ersten Richtung benachbart zueinander angeordnet sind, einen Treibertransistor, der in dem Schaltungsbereich (CA) des Subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) vorgesehen ist und eine aktive Schicht und eine Gate-Elektrode aufweist, ein Lichtemissionselement, das in dem Lichtemissionsbereich (EA) des Subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) vorgesehen ist, das eine Anodenelektrode (AE), eine Lichtemissionsschicht und eine Kathodenelektrode aufweist, eine Pixelstromleitung (VDDL), die den Treibertransistor des Subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) von einer Pixelleistungsquelle speist, und ein Pixelstromverbindungsmuster (VDDCP), das die Pixelstromleitung (VDDL) mit dem Treibertransistor des Subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) verbindet. Das Pixelstromverbindungsmuster (VDDCP) weist einen ersten Laserschneidbereich auf und ist aus demselben Material auf derselben Schicht wie die aktive Schicht des Treibertransistors gebildet. A light emitting display apparatus may include a subpixel including a light emission area and a circuit area, which are disposed to be adjacent to each other in a first direction, a driving transistor provided in the circuit area of the subpixel, including an active layer and a gate electrode, a light emitting element provided in the light emission area of the subpixel, including an anode electrode, a light emitting layer and a cathode electrode, a pixel power line supplying a pixel power source to the driving transistor of the subpixel, and a pixel power connection pattern connecting the pixel power line to the driving transistor of the subpixel. The pixel power connection pattern may include a first laser cutting area, and may be made of the same material on the same layer as the active layer of the driving transistor.