HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DERSELBEN

Eine Halbleitervorrichtung mit hochintegrierten Speicherzellen und ein Verfahren zum Herstellen derselben. Die Halbleitervorrichtung kann umfassen: eine vertikale leitfähige Leitung; eine horizontale Schicht, die horizontal von der vertikalen leitfähigen Leitung ausgerichtet ist und einen ersten horizontalen Abschnitt und einen zweiten horizontalen Abschnitt, der dünner ist als der erste horizontale Abschnitt, umfasst; eine horizontale leitfähige Leitung, die den ersten horizontalen Abschnitt der horizontalen Schicht kreuzt; und ein Datenspeicherelement mit einer ersten Elektrode, die einen zusammengeführten Doppelzylinder umfasst, der mit dem zweiten horizontalen Abschnitt der horizontalen Schicht verbunden ist. A semiconductor device including highly integrated memory cells and a method for fabricating the same. The semiconductor device may include: a vertical conductive line; a horizontal layer horizontally oriented from the vertical conductive line and including a first horizontal portion and a second horizontal portion thinner than the first horizontal portion; a horizontal conductive line crossing the first horizontal portion of the horizontal layer; and a data storage element including a first electrode including a merged double cylinder coupled to the second horizontal portion of the horizontal layer.