Strukturen für eine vertikale Varaktordiode und entsprechende Verfahren

Strukturen für eine Varaktordiode und Verfahren zur Herstellung derselben. Die Struktur umfasst eine erste Halbleiterschicht mit einem Abschnitt auf einem Substrat, eine zweite Halbleiterschicht auf dem Abschnitt der ersten Halbleiterschicht, eine dritte Halbleiterschicht auf der zweiten Halbleiterschicht und einen dotierten Bereich in dem Abschnitt der ersten Halbleiterschicht. Der Abschnitt der ersten Halbleiterschicht und der dotierte Bereich haben einen ersten Leitfähigkeitstyp und die zweite Halbleiterschicht umfasst Silizium-Germanium mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, und die dritte Halbleiterschicht hat den zweiten Leitfähigkeitstyp. Der dotierte Bereich umfasst eine höhere Konzentration eines Dotierstoffs des ersten Leitfähigkeitstyps als der Abschnitt der ersten Halbleiterschicht. Die zweite Halbleiterschicht grenzt an den ersten Abschnitt der ersten Halbleiterschicht entlang einer Grenzfläche, und der dotierte Bereich befindet sich in der Nähe der Grenzfläche. Structures for a varactor diode and methods of forming same. The structure comprises a first semiconductor layer including a section on a substrate, a second semiconductor layer on the section of the first semiconductor layer, a third semiconductor layer on the second semiconductor layer, and a doped region in the section of the first semiconductor layer. The section of the first semiconductor layer and the doped region have a first conductivity type, and the second semiconductor layer comprises silicon-germanium having a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and the third semiconductor layer has the second conductivity type. The doped region contains a higher concentration of a dopant of the first conductivity type than the section of the first semiconductor layer. The second semiconductor layer abuts the first section of the first semiconductor layer along an interface, and the doped region is positioned adjacent to the interface.