RC-IGBT und Verfahren zum Betreiben einer Halbbrückenschaltung

Ein RC-IGBT (1) umfasst in einem einzigen Chip ein aktives Gebiet (1-2), das dazu konfiguriert ist, sowohl einen Vorwärtslaststrom als auch einen Rückwärtslaststrom zwischen einem ersten Lastanschluss (11) an einer Vorderseite (110) eines Halbleiterkörpers (10) des RC-IGBTs (1) und einem zweiten Las...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Eckel, Hans-Günter
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY PULSE TECHNIQUE SEMICONDUCTOR DEVICES
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